FQU10N20TU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQU10N20TU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 7.60 A
通道数 1
漏源极电阻 360 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 7.60 A
上升时间 90 ns
输入电容Ciss 670pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 51W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
长度 6.8 mm
宽度 2.5 mm
高度 6.3 mm
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQU10N20TU引脚图与封装图
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在线购买FQU10N20TU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQU10N20TU | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道 200V 7.6A | 搜索库存 |
替代型号FQU10N20TU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQU10N20TU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-251-3 N-Channel 200V 7.6A 360mohms | 当前型号 | N沟道 200V 7.6A | 当前型号 |
| 型号： FQU10N20CTU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-251-3 N-Channel 200V 7.8A 360mohms | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3Pin3+Tab IPAK Rail | FQU10N20TU和FQU10N20CTU的区别 |
| 型号： FQU10N20 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | 200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET | FQU10N20TU和FQU10N20的区别 |