FQU10N20CTU、FQU10N20TU对比区别

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型号 FQU10N20CTU FQU10N20TU

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3Pin(3+Tab) IPAK RailN沟道 200V 7.6A

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 -

封装 TO-251-3 TO-251-3

额定电压(DC) 200 V 200 V

额定电流 7.80 A 7.60 A

通道数 1 1

漏源极电阻 360 mΩ 360 mΩ

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 50 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V

漏源击穿电压 200 V 200 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 7.80 A 7.60 A

上升时间 92 ns 90 ns

输入电容(Ciss) 510pF @25V(Vds) 670pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 50 W 2.5 W

下降时间 72 ns 50 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 50W (Tc) 2.5W (Ta), 51W (Tc)

长度 6.8 mm 6.8 mm

宽度 2.5 mm 2.5 mm

高度 6.3 mm 6.3 mm

封装 TO-251-3 TO-251-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99