FQU10N20、FQU10N20TU、IRFU230A对比区别

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型号 FQU10N20 FQU10N20TU IRFU230A

描述 200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFETN沟道 200V 7.6A先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 IPAK TO-251-3 -

极性 N-CH N-Channel -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -

连续漏极电流(Ids) 7.6A 7.60 A -

额定电压(DC) - 200 V -

额定电流 - 7.60 A -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 360 mΩ -

耗散功率 - 2.5 W -

漏源击穿电压 - 200 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

上升时间 - 90 ns -

输入电容(Ciss) - 670pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 2.5 W -

下降时间 - 50 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 51W (Tc) -

封装 IPAK TO-251-3 -

长度 - 6.8 mm -

宽度 - 2.5 mm -

高度 - 6.3 mm -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 - Tube -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -