FQD4P25TM
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQD4P25TM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -250 V
额定电流 -3.10 A
极性 P-CH
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 250 V
连续漏极电流Ids 3.10 A
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 420pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 27 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 45W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQD4P25TM引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQD4P25TM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQD4P25TM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 P-CH 250V 3.1A | 当前型号 | 250V P沟道MOSFET 250V P-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FQD4P25TF 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 P-Channel 250V 3.1A 2.1ohms | 类似代替 | P沟道 250V 3.1A | FQD4P25TM和FQD4P25TF的区别 |
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| 型号： SFR9224TF 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 P-Channel 250V 2.5A 2.4ohms | 类似代替 | 雪崩坚固的技术 Avalanche Rugged Technology | FQD4P25TM和SFR9224TF的区别 |