FQD4P25TM、FQD4P25TM_WS、FQD4P25对比区别

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型号 FQD4P25TM FQD4P25TM_WS FQD4P25

描述 250V P沟道MOSFET 250V P-Channel MOSFETQFET® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。250V P沟道MOSFET 250V P-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 DPAK

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) -250 V - -

额定电流 -3.10 A - -

极性 P-CH P-CH P-CH

耗散功率 2.5 W 2.5 W -

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V

连续漏极电流(Ids) 3.10 A 3.1A 3.1A

上升时间 60 ns - -

输入电容(Ciss) 420pF @25V(Vds) 420pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W -

下降时间 27 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) -

通道数 - 1 -

长度 6.73 mm 6.73 mm -

宽度 6.22 mm 6.22 mm -

高度 2.39 mm 2.39 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 DPAK

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -