FQD4P25TM、SFR9224TF、FQD4P25TM_WS对比区别
型号 FQD4P25TM SFR9224TF FQD4P25TM_WS
描述 250V P沟道MOSFET 250V P-Channel MOSFET雪崩坚固的技术 Avalanche Rugged TechnologyQFET® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - - 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
通道数 - 1 1
极性 P-CH P-Channel P-CH
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V
连续漏极电流(Ids) 3.10 A 2.5A 3.1A
输入电容(Ciss) 420pF @25V(Vds) - 420pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W - 2.5 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 45W (Tc) - 2.5W (Ta), 45W (Tc)
漏源极电阻 - 2.4 Ω -
漏源击穿电压 - 250 V -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
上升时间 60 ns 19 ns -
下降时间 27 ns 15 ns -
额定电压(DC) -250 V - -
额定电流 -3.10 A - -
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.39 mm 2.39 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 -