FQD4P25TF、FQD4P25TM、FQD4P25对比区别

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型号 FQD4P25TF FQD4P25TM FQD4P25

描述 P沟道 250V 3.1A250V P沟道MOSFET 250V P-Channel MOSFET250V P沟道MOSFET 250V P-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 DPAK

极性 P-Channel P-CH P-CH

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V

连续漏极电流(Ids) 3.10 A 3.10 A 3.1A

额定电压(DC) -250 V -250 V -

额定电流 -3.10 A -3.10 A -

耗散功率 2.5 W 2.5 W -

上升时间 60 ns 60 ns -

输入电容(Ciss) 420pF @25V(Vds) 420pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W -

下降时间 27 ns 27 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) -

通道数 1 - -

漏源极电阻 2.1 Ω - -

漏源击穿电压 250 V - -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 DPAK

长度 6.73 mm 6.73 mm -

宽度 6.22 mm 6.22 mm -

高度 2.39 mm 2.39 mm -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -