FDB039N06
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDB039N06中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 2.95 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 231 W
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 174A
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 8235pF @25VVds
额定功率Max 231 W
下降时间 24 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 231W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDB039N06引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDB039N06
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDB039N06 | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道MOSFET的PowerTrench 60V ， 174A ， 3.9mW N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 174A, 3.9mW | 搜索库存 |
替代型号FDB039N06
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDB039N06 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-263 N-CH 60V 174A | 当前型号 | N沟道MOSFET的PowerTrench 60V ， 174A ， 3.9mW N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 174A, 3.9mW | 当前型号 |
| 型号： FQB25N33TM_F085 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252-3 N-CH 330V 25A | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 330V 25A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | FDB039N06和FQB25N33TM_F085的区别 |
| 型号： FQB7P20TM_F085 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-263AB P-Channel 200V 7.3A | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB7P20TM_F085 晶体管, MOSFET, P沟道, -7.3 A, -200 V, 0.54 ohm, -10 V, -3 V | FDB039N06和FQB7P20TM_F085的区别 |
| 型号： SUM110N06-3M9H-E3 品牌： 威世 封装： TO-252-3 N-CH 60V 110A 3.9mΩ | 功能相似 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 60 V, 0.00325 ohm, 10 V, 3.4 V | FDB039N06和SUM110N06-3M9H-E3的区别 |