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FDB039N06、FQB25N33TM_F085、SUM110N06-3M9H-E3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDB039N06 FQB25N33TM_F085 SUM110N06-3M9H-E3

描述 N沟道MOSFET的PowerTrench 60V , 174A , 3.9mW N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 174A, 3.9mWTrans MOSFET N-CH 330V 25A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 60 V, 0.00325 ohm, 10 V, 3.4 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3

引脚数 - - 3

通道数 1 - -

漏源极电阻 2.95 mΩ - 0.00325 Ω

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 231 W 3.1 W 3.75 W

漏源极电压(Vds) 60 V 330 V 60 V

漏源击穿电压 60 V - -

连续漏极电流(Ids) 174A 25A 110A

上升时间 40 ns - 160 ns

输入电容(Ciss) 8235pF @25V(Vds) 2010pF @25V(Vds) 15800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 231 W 3.1 W -

下降时间 24 ns - 14 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 231W (Tc) 3.1W (Ta), 250W (Tc) 3750 mW

针脚数 - - 3

阈值电压 - - 3.4 V

长度 10.67 mm - -

宽度 9.65 mm - -

高度 4.83 mm - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

最小包装 - - 2000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -