FDB039N06、SUM110N06-3M9H-E3、FQB7P20TM_F085对比区别

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型号 FDB039N06 SUM110N06-3M9H-E3 FQB7P20TM_F085

描述 N沟道MOSFET的PowerTrench 60V ， 174A ， 3.9mW N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 174A, 3.9mW晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 60 V, 0.00325 ohm, 10 V, 3.4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB7P20TM_F085  晶体管, MOSFET, P沟道, -7.3 A, -200 V, 0.54 ohm, -10 V, -3 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 2.95 mΩ 0.00325 Ω 0.54 Ω

极性 N-CH N-CH P-Channel

耗散功率 231 W 3.75 W 90 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 174A 110A 7.3A

上升时间 40 ns 160 ns 110 ns

输入电容(Ciss) 8235pF @25V(Vds) 15800pF @25V(Vds) 770pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 231 W - 3.13 W

下降时间 24 ns 14 ns 42 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 231W (Tc) 3750 mW 3.13W (Ta), 90W (Tc)

通道数 1 - -

漏源击穿电压 60 V - -

阈值电压 - 3.4 V -

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3

长度 10.67 mm - -

宽度 9.65 mm - -

高度 4.83 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete - Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

最小包装 - 2000 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15