FDB039N06、FQB7P20TM_F085、SUM110N06-3M9H-E3对比区别

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型号 FDB039N06 FQB7P20TM_F085 SUM110N06-3M9H-E3

描述 N沟道MOSFET的PowerTrench 60V ， 174A ， 3.9mW N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 174A, 3.9mWFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB7P20TM_F085  晶体管, MOSFET, P沟道, -7.3 A, -200 V, 0.54 ohm, -10 V, -3 V晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 60 V, 0.00325 ohm, 10 V, 3.4 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 2.95 mΩ 0.54 Ω 0.00325 Ω

极性 N-CH P-Channel N-CH

耗散功率 231 W 90 W 3.75 W

漏源极电压(Vds) 60 V 200 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 174A 7.3A 110A

上升时间 40 ns 110 ns 160 ns

输入电容(Ciss) 8235pF @25V(Vds) 770pF @25V(Vds) 15800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 231 W 3.13 W -

下降时间 24 ns 42 ns 14 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 231W (Tc) 3.13W (Ta), 90W (Tc) 3750 mW

通道数 1 - -

漏源击穿电压 60 V - -

阈值电压 - - 3.4 V

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3

长度 10.67 mm - -

宽度 9.65 mm - -

高度 4.83 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

最小包装 - - 2000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -