FDB120N10
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDB120N10中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 170 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 74A
上升时间 105 ns
输入电容Ciss 5605pF @25VVds
额定功率Max 170 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 170W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.5 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDB120N10引脚图与封装图
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在线购买FDB120N10
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDB120N10 | Fairchild 飞兆/仙童 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
替代型号FDB120N10
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDB120N10 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-263 N-CH 100V 74A | 当前型号 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 |
| 型号： BUK7610-100B,118 品牌： 恩智浦 封装： SOT404 N-CH 100V 110A | 功能相似 | D2PAK N-CH 100V 110A | FDB120N10和BUK7610-100B,118的区别 |
| 型号： PSMN015-100B,118 品牌： 恩智浦 封装： SOT404 N-CH 100V 75A | 功能相似 | D2PAK N-CH 100V 75A | FDB120N10和PSMN015-100B,118的区别 |
| 型号： PHB27NQ10T,118 品牌： 恩智浦 封装： D2PAK N-CH 100V 28A | 功能相似 | D2PAK N-CH 100V 28A | FDB120N10和PHB27NQ10T,118的区别 |