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FDB120N10、PHB27NQ10T,118、PSMN015-100B,118对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDB120N10 PHB27NQ10T,118 PSMN015-100B,118

描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。D2PAK N-CH 100V 28AD2PAK N-CH 100V 75A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 3 - -

通道数 - 1 1

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 170 W 107 W 300 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 74A 28A 75A

上升时间 105 ns - 65 ns

输入电容(Ciss) 5605pF @25V(Vds) 1240pF @25V(Vds) 4900pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 170 W 107 W 300 W

下降时间 15 ns - 50 ns

耗散功率(Max) 170W (Tc) 107W (Tc) 300W (Tc)

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

宽度 9.65 mm - 9.4 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 10.67 mm - -

高度 4.5 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free