BUK7610-100B,118、FDB120N10、STB80NF10T4对比区别

高亮显示差异参数

型号 BUK7610-100B,118 FDB120N10 STB80NF10T4

描述 D2PAK N-CH 100V 110APowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。STMICROELECTRONICS  STB80NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 300 W 170 W 300 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 110A 74A 80.0 A

上升时间 45 ns 105 ns 80 ns

输入电容(Ciss) 6773pF @25V(Vds) 5605pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 170 W 300 W

下降时间 36 ns 15 ns 60 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 170W (Tc) 300W (Tc)

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 80.0 A

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 12 mΩ

阈值电压 - - 3 V

漏源击穿电压 - - 100 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

长度 - 10.67 mm 10.4 mm

宽度 - 9.65 mm 9.35 mm

高度 - 4.5 mm 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17