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FDB120N10、PSMN015-100B,118、BUK9610-100B,118对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDB120N10 PSMN015-100B,118 BUK9610-100B,118

描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。D2PAK N-CH 100V 75ABUK Series 100V 9.7MOhm 300W 86NC N-Channel TrenchMOS Logic Level FET TO-263-3

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

耗散功率 170 W 300 W 300 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

上升时间 105 ns 65 ns 110 ns

输入电容(Ciss) 5605pF @25V(Vds) 4900pF @25V(Vds) 11045pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 170 W 300 W 300 W

下降时间 15 ns 50 ns 94 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 170W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)

极性 N-CH N-CH -

连续漏极电流(Ids) 74A 75A -

通道数 - 1 -

高度 4.5 mm - 4.5 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 10.67 mm - -

宽度 9.65 mm 9.4 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free