FQD20N06TM
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQD20N06TM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 16.8 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.05 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 38 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 16.8 A
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 590pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 38W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.6 mm
宽度 6.1 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQD20N06TM引脚图与封装图
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在线购买FQD20N06TM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQD20N06TM | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD20N06TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 16.8 A, 60 V, 0.05 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
替代型号FQD20N06TM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQD20N06TM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 60V 16.8A 63mohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD20N06TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 16.8 A, 60 V, 0.05 ohm, 10 V, 4 V | 当前型号 |
| 型号： FQD20N06TF 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 60V 16.8A 63mohms | 类似代替 | N沟道 60V 16.8A | FQD20N06TM和FQD20N06TF的区别 |
| 型号： FDD107AN06LA0 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 60V 10.9A 91mohms 350pF | 类似代替 | N沟道PowerTrench MOSFET的60V ， 10A ，107M N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 10A, 107m | FQD20N06TM和FDD107AN06LA0的区别 |
| 型号： NTD20N06LT4G 品牌： 安森美 封装： TO-252 N-Channel 60V 20A 39mohms | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR NTD20N06LT4G 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 20A, D-PAK | FQD20N06TM和NTD20N06LT4G的区别 |