FQD20N06TM、NTD20N06LT4G、NTD20N06LG对比区别

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型号 FQD20N06TM NTD20N06LT4G NTD20N06LG

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD20N06TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 16.8 A, 60 V, 0.05 ohm, 10 V, 4 VON SEMICONDUCTOR  NTD20N06LT4G  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 20A, D-PAK功率MOSFET 20安培， 60伏逻辑电平， NA ????频道DPAK Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts Logic Level, N−Channel DPAK

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 16.8 A 20.0 A 20.0 A

额定功率 - 60 W 60 W

漏源极电阻 0.05 Ω 0.039 Ω 39.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 38 W 60 W 60 W

输入电容 - 7.7pF @25V 1.01 nF

栅电荷 - - 30.0 nC

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V 60 V 60.0 V

栅源击穿电压 ±25.0 V ±15.0 V ±15.0 V

连续漏极电流(Ids) 16.8 A 20.0 A, 20.0 mA 20.0 A

上升时间 45 ns 98 ns 98 ns

输入电容(Ciss) 590pF @25V(Vds) 990pF @25V(Vds) 990pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 1.36 W 1.36 W

下降时间 25 ns 62 ns 62 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 38W (Tc) 1.36 W 1.36 W

针脚数 3 3 -

阈值电压 4 V 1.6 V -

通道数 - 1 -

长度 6.6 mm 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.1 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.3 mm 2.38 mm 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99