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FQD20N06TF、FQD20N06TM、FQD20N06对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD20N06TF FQD20N06TM FQD20N06

描述 N沟道 60V 16.8AFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD20N06TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 16.8 A, 60 V, 0.05 ohm, 10 V, 4 VMOS(场效应管)/FQD20N06

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 DPAK

引脚数 - 3 -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 16.8 A 16.8 A 16.8A

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -

额定电流 16.8 A 16.8 A -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 63.0 mΩ 0.05 Ω -

耗散功率 2.5W (Ta), 38W (Tc) 38 W -

阈值电压 - 4 V -

漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V -

栅源击穿电压 ±25.0 V ±25.0 V -

上升时间 - 45 ns -

输入电容(Ciss) 590pF @25V(Vds) 590pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W -

下降时间 - 25 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 38W (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) -

封装 TO-252-3 TO-252-3 DPAK

长度 - 6.6 mm -

宽度 - 6.1 mm -

高度 - 2.3 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -