FQD2N100TF、FQD2N100TM对比区别

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型号 FQD2N100TF FQD2N100TM

描述 Trans MOSFET N-CH 1kV 1.6A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD2N100TM  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 1 kV, 7.1 ohm, 10 V, 5 V

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - 3

额定电压(DC) 900 V 900 V

额定电流 1.60 A 1.60 A

通道数 1 -

漏源极电阻 7.1 Ω 7.1 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 50 W

漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V

漏源击穿电压 1000 V 1.00 kV

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 1.60 A 1.60 mA

上升时间 30 ns 30 ns

输入电容(Ciss) 520pF @25V(Vds) 520pF @25V(Vds)

下降时间 35 ns 35 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc)

针脚数 - 3

阈值电压 - 5 V

额定功率(Max) - 2.5 W

长度 6.73 mm 6.6 mm

宽度 6.22 mm 6.1 mm

高度 2.39 mm 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99