EMX1DXV6T5G中文资料参数规格
技术参数
频率 180 MHz
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 357 mW
增益频宽积 180 MHz
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563-6
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.55 mm
封装 SOT-563-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
EMX1DXV6T5G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买EMX1DXV6T5G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| EMX1DXV6T5G | ON Semiconductor 安森美 | 双NPN通用晶体管放大器 Dual NPN General Purpose Amplifier Transistor | 搜索库存 |
替代型号EMX1DXV6T5G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： EMX1DXV6T5G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-563 NPN 50V 100mA 500mW | 当前型号 | 双NPN通用晶体管放大器 Dual NPN General Purpose Amplifier Transistor | 当前型号 |
| 型号： EMX1DXV6T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-563 NPN 50V 100mA 0.5W | 类似代替 | NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | EMX1DXV6T5G和EMX1DXV6T1G的区别 |
| 型号： EMX1DXV6T5 品牌： 安森美 封装： SOT-563 NPN 50V 100mA | 类似代替 | 双NPN通用晶体管放大器 Dual NPN General Purpose Amplifier Transistor | EMX1DXV6T5G和EMX1DXV6T5的区别 |
| 型号： FFB2907A 品牌： 安森美 封装： SOT-363 | 功能相似 | ON Semiconductor FFB2907A, 双 PNP 晶体管, 600 mA, Vce=60 V, HFE:300, 100 MHz, 6引脚 SOT-363 SC-70封装 | EMX1DXV6T5G和FFB2907A的区别 |