EMX1DXV6T5、EMX1DXV6T5G对比区别
描述 双NPN通用晶体管放大器 Dual NPN General Purpose Amplifier Transistor双NPN通用晶体管放大器 Dual NPN General Purpose Amplifier Transistor
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-563-6 SOT-563-6
引脚数 - 6
额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V
额定电流 100 mA 100 mA
极性 NPN NPN
耗散功率 357 mW 357 mW
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V
集电极最大允许电流 0.1A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) 120 120 @1mA, 6V
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
频率 - 180 MHz
增益频宽积 - 180 MHz
额定功率(Max) - 500 mW
耗散功率(Max) - 500 mW
长度 1.6 mm 1.6 mm
宽度 1.2 mm 1.2 mm
高度 0.55 mm 0.55 mm
封装 SOT-563-6 SOT-563-6
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tape Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99