EMX1DXV6T5G、FFB2907A、EMX1DXV6T1G对比区别

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型号 EMX1DXV6T5G FFB2907A EMX1DXV6T1G

描述 双NPN通用晶体管放大器 Dual NPN General Purpose Amplifier TransistorON Semiconductor FFB2907A, 双 PNP 晶体管, 600 mA, Vce=60 V, HFE:300, 100 MHz, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SOT-563-6 SC-70-6 SOT-563

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 60 V 50 V

最小电流放大倍数(hFE) 120 @1mA, 6V 100 @150mA, 10V 120 @1mA, 6V

额定功率(Max) 500 mW 300 mW 500 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 500 mW 300 mW 357 mW

频率 180 MHz - 180 MHz

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 100 mA - 100 mA

极性 NPN - NPN

耗散功率 357 mW - 0.5 W

集电极最大允许电流 0.1A - 0.1A

增益频宽积 180 MHz - -

长度 1.6 mm 2 mm 1.7 mm

宽度 1.2 mm 1.25 mm 1.3 mm

高度 0.55 mm 1 mm 0.6 mm

封装 SOT-563-6 SC-70-6 SOT-563

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99