CSD19532Q5B、CSD19532Q5BT、CSD19531Q5A对比区别
型号 CSD19532Q5B CSD19532Q5BT CSD19531Q5A
描述 N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19532Q5B100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、4.9mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150TEXAS INSTRUMENTS CSD19531Q5A 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 V
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
引脚数 8 8 8
封装 VSON-Clip-8 VSON-CLIP VSON-FET-8
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
耗散功率 3.1 W 3.1 W 3.3 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
上升时间 6 ns 6 ns 5.8 ns
输入电容(Ciss) 4810pF @50V(Vds) 4810pF @50V(Vds) 3870pF @50V(Vds)
下降时间 6 ns 6 ns 5.2 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 195W (Tc) 3.1W (Ta), 195W (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc)
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.004 Ω - 0.0053 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
阈值电压 2.6 V - 2.7 V
连续漏极电流(Ids) 100A - 100A
通道数 1 - -
漏源击穿电压 100 V - -
封装 VSON-Clip-8 VSON-CLIP VSON-FET-8
长度 6 mm - -
宽度 5 mm - -
高度 1 mm - -
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 Active 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead 无铅 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -