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CSD25304W1015

CSD25304W1015

TI(德州仪器) 分立器件

CSD25304W1015 20V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

这款 27mΩ,20V P 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.0mm × 1.5mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。

顶视图 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 器件在 105ºC 温度下运行RθJA 典型值 = 165°C/W,脉宽 ≤100μs,占空比 ≤1%

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超低 Qg 和 Qgd
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小封装尺寸
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低高度(高度为 0.62mm)
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无铅
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符合 RoHS 环保标准
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无卤素
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芯片级封装 CSP 1 x 1.5mm 晶圆级封装

## 应用范围

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电池管理
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负载开关
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电池保护
CSD25304W1015中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 0.75 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 3A

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 595pF @10VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 750mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 DSBGA-6

外形尺寸

封装 DSBGA-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CSD25304W1015引脚图与封装图
CSD25304W1015引脚图

CSD25304W1015引脚图

CSD25304W1015封装图

CSD25304W1015封装图

CSD25304W1015封装焊盘图

CSD25304W1015封装焊盘图

在线购买CSD25304W1015
型号 制造商 描述 购买
CSD25304W1015 TI 德州仪器 CSD25304W1015 20V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 搜索库存
替代型号CSD25304W1015
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD25304W1015

品牌: TI 德州仪器

封装: DSBGA P-CH 20V 3A

当前型号

CSD25304W1015 20V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

当前型号

型号: CSD25304W1015T

品牌: 德州仪器

封装: DSBGA-6 P-Channel 20V 3A

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CSD25304W1015和CSD25304W1015T的区别

型号: CSD25303W1015

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