CSD25304W1015、CSD25304W1015T、CSD25303W1015对比区别

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型号 CSD25304W1015 CSD25304W1015T CSD25303W1015

描述 CSD25304W1015 20V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFETTEXAS INSTRUMENTS  CSD25304W1015T  晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -20 V, 0.027 ohm, -4.5 V, -800 mVP 通道 NexFET 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 -

封装 DSBGA-6 DSBGA-6 DSBGA-6

通道数 - 1 -

针脚数 - 6 -

漏源极电阻 - 0.027 Ω -

极性 P-CH P-Channel P-CH

耗散功率 0.75 W 1.5 W 1.5 W

阈值电压 - 800 mV -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 - 20 V -

连续漏极电流(Ids) 3A 3A 3A

上升时间 4 ns 4 ns -

输入电容(Ciss) 595pF @10V(Vds) 595pF @10V(Vds) 435pF @10V(Vds)

下降时间 10 ns 10 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 750mW (Ta) 750 mW 1.5W (Ta)

额定功率(Max) - - 1.5 W

长度 - 1 mm 1.5 mm

宽度 - 1.5 mm 1 mm

高度 - 0.625 mm 0.625 mm

封装 DSBGA-6 DSBGA-6 DSBGA-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 Active 停产

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -