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CSD25301W1015、CSD25304W1015对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD25301W1015 CSD25304W1015

描述 P 通道 NexFET™ 功率 MOSFETCSD25304W1015 20V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册 --

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 UFBGA-6 DSBGA-6

极性 P-Channel P-CH

耗散功率 1.5W (Ta) 0.75 W

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 2.20 A 3A

上升时间 2 ns 4 ns

输入电容(Ciss) 270pF @10V(Vds) 595pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 1.5 W -

下降时间 12 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.5W (Ta) 750mW (Ta)

封装 UFBGA-6 DSBGA-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 停产 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

香港进出口证 NLR -