CSD23201W10、CSD23202W10对比区别

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型号 CSD23201W10 CSD23202W10

描述 P 通道 NexFET™ 功率 MOSFETCSD23202W10 12V P 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET

数据手册 --

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4

封装 UFBGA-4 DSBGA-4

针脚数 4 -

漏源极电阻 0.066 Ω -

极性 P-Channel P-CH

耗散功率 1 W 1 W

阈值电压 600 mV -

漏源极电压(Vds) 12 V 12 V

连续漏极电流(Ids) 1.10 A 2.2A

上升时间 19 ns 4 ns

输入电容(Ciss) 325pF @6V(Vds) 512pF @6V(Vds)

额定功率(Max) 1 W -

下降时间 29 ns 21 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1W (Ta) 1W (Ta)

封装 UFBGA-4 DSBGA-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 停产 正在供货

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 -