通道数 2
漏源极电阻 5.9 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 2.3 W
阈值电压 750 mV
漏源极电压Vds 12 V
漏源击穿电压 ±12 V
连续漏极电流Ids 8A
上升时间 353 ns
输入电容Ciss 902pF @6VVds
额定功率Max 2.3 W
下降时间 589 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 XFBGA-6
长度 2.2 mm
宽度 1.15 mm
高度 0.2 mm
封装 XFBGA-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CSD83325L引脚图
CSD83325L封装图
CSD83325L封装焊盘图
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD83325L 品牌： TI 德州仪器 封装： 6-XFBGA N-CH 12V 8A | 当前型号 | CSD83325L，双路 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | 当前型号 |
| 型号： CSD83325LT 品牌： 德州仪器 封装： PICOSTAR Dual N-Channel 12V 8A | 类似代替 | TEXAS INSTRUMENTS CSD83325LT 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 12 V, 0.0099 ohm, 4.5 V, 950 mV | CSD83325L和CSD83325LT的区别 |
| 型号： CSD87501L 品牌： 德州仪器 封装： 10-XFBGA N-CH 2500mW | 功能相似 | CSD87501L 30V 双路 N 通道共漏极 NexFET™ 功率 MOSFET | CSD83325L和CSD87501L的区别 |
| 型号： CSD85302L 品牌： 德州仪器 封装： 4-XFLGA N-CH | 功能相似 | 20V、N 沟道 NexFET MOSFET™、双路共漏极、LGA 1.35x1.35、24mΩ 4-PICOSTAR -55 to 150 | CSD83325L和CSD85302L的区别 |
