CSD83325L、CSD83325LT、CSD85302L对比区别

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型号 CSD83325L CSD83325LT CSD85302L

描述 CSD83325L，双路 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFETTEXAS INSTRUMENTS  CSD83325LT  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 12 V, 0.0099 ohm, 4.5 V, 950 mV20V、N 沟道 NexFET MOSFET™、双路共漏极、LGA 1.35x1.35、24mΩ 4-PICOSTAR -55 to 150

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 4

封装 XFBGA-6 XFBGA-6 Picostar-4

通道数 2 - 2

漏源极电阻 5.9 mΩ 0.0099 Ω -

极性 N-CH Dual N-Channel N-CH

耗散功率 2.3 W 2.3 W 1.7 W

阈值电压 750 mV 950 mV 680 mV

漏源极电压(Vds) 12 V 12 V -

漏源击穿电压 ±12 V - -

连续漏极电流(Ids) 8A 8A -

上升时间 353 ns 353 ns 54 ns

输入电容(Ciss) 902pF @6V(Vds) 902 pF -

额定功率(Max) 2.3 W 2.3 W 1.7 W

下降时间 589 ns 589 ns 99 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2300 mW 2.3 W 1700 mW

针脚数 - 6 -

长度 2.2 mm 1.15 mm 1.35 mm

宽度 1.15 mm 2.2 mm 1.35 mm

高度 0.2 mm 0.2 mm 0.22 mm

封装 XFBGA-6 XFBGA-6 Picostar-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 Active 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99