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CSD83325L、CSD87501L、CSD85302L对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD83325L CSD87501L CSD85302L

描述 CSD83325L,双路 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFETCSD87501L 30V 双路 N 通道共漏极 NexFET™ 功率 MOSFET20V、N 沟道 NexFET MOSFET™、双路共漏极、LGA 1.35x1.35、24mΩ 4-PICOSTAR -55 to 150

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 10 4

封装 XFBGA-6 XFBGA-10 Picostar-4

通道数 2 2 2

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 2.3 W 2.5 W 1.7 W

阈值电压 750 mV - 680 mV

上升时间 353 ns 260 ns 54 ns

额定功率(Max) 2.3 W 2.5 W 1.7 W

下降时间 589 ns 712 ns 99 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2300 mW 2500 mW 1700 mW

漏源极电压(Vds) 12 V 30 V -

连续漏极电流(Ids) 8A 14A -

输入电容(Ciss) 902pF @6V(Vds) 1620pF @15V(Vds) -

漏源极电阻 5.9 mΩ - -

漏源击穿电压 ±12 V - -

长度 2.2 mm 3.42 mm 1.35 mm

宽度 1.15 mm 1.52 mm 1.35 mm

高度 0.2 mm 0.2 mm 0.22 mm

封装 XFBGA-6 XFBGA-10 Picostar-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 正在供货 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99