通道数 1
针脚数 6
漏源极电阻 0.024 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.3 W
阈值电压 1.3 V
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 3.9 ns
输入电容Ciss 340pF @15VVds
额定功率Max 2.3 W
下降时间 1.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.3W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 WSON-FET-6
宽度 2 mm
封装 WSON-FET-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
CSD17313Q2Q1引脚图
CSD17313Q2Q1封装图
CSD17313Q2Q1封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD17313Q2Q1 | TI 德州仪器 | TEXAS INSTRUMENTS CSD17313Q2Q1 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.024 ohm, 8 V, 1.3 V | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD17313Q2Q1 品牌： TI 德州仪器 封装： SON N-Channel | 当前型号 | TEXAS INSTRUMENTS CSD17313Q2Q1 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.024 ohm, 8 V, 1.3 V | 当前型号 |
| 型号： CSD17313Q2 品牌： 德州仪器 封装： SON N-Channel 30V 5A | 完全替代 | 30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | CSD17313Q2Q1和CSD17313Q2的区别 |
| 型号： CSD17313Q2Q1T 品牌： 德州仪器 封装： WSON-6 N-CH 30V 5A | 功能相似 | WSON N-CH 30V 5A | CSD17313Q2Q1和CSD17313Q2Q1T的区别 |
| 型号： 7313 品牌： 德州仪器 封装： | 功能相似 | 30V N Channel NexFET Power MOSFET 6-WSON -55 to 150 | CSD17313Q2Q1和7313的区别 |
