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7313、CSD17313Q2Q1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 7313 CSD17313Q2Q1

描述 30V N Channel NexFET™ Power MOSFET 6-WSON -55 to 150TEXAS INSTRUMENTS  CSD17313Q2Q1  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.024 ohm, 8 V, 1.3 V

数据手册 --

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 6

封装 - WSON-FET-6

通道数 - 1

针脚数 - 6

漏源极电阻 - 0.024 Ω

极性 - N-Channel

耗散功率 - 2.3 W

阈值电压 - 1.3 V

漏源极电压(Vds) - 30 V

上升时间 - 3.9 ns

输入电容(Ciss) - 340pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 2.3 W

下降时间 - 1.3 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 2.3W (Ta)

宽度 - 2 mm

封装 - WSON-FET-6

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active 正在供货

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15