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CSD17313Q2Q1、CSD17313Q2Q1T、CSD17313Q2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD17313Q2Q1 CSD17313Q2Q1T CSD17313Q2

描述 TEXAS INSTRUMENTS  CSD17313Q2Q1  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.024 ohm, 8 V, 1.3 VWSON N-CH 30V 5A30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 WSON-FET-6 WSON-6 WSON-FET-6

通道数 1 - 1

针脚数 6 - 6

漏源极电阻 0.024 Ω - 0.024 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 2.3 W 2.4 W 2.3 W

阈值电压 1.3 V - 1.3 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - - 30 V

连续漏极电流(Ids) - 5A 5.00 A

上升时间 3.9 ns 3.9 ns 3.9 ns

输入电容(Ciss) 340pF @15V(Vds) 340pF @15V(Vds) 340pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.3 W - 2.3 W

下降时间 1.3 ns 1.3 ns 1.3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.3W (Ta) 2.4W (Ta), 17W (Tc) 2.3W (Ta)

长度 - - 2 mm

宽度 2 mm - 2 mm

高度 - - 0.8 mm

封装 WSON-FET-6 WSON-6 WSON-FET-6

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 Active 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 -