
额定电压DC 80.0 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 60 @100mA, 2V
额定功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BC489RL1G | ON Semiconductor 安森美 | 大电流晶体管NPN硅这是PBA ???? Free设备 High Current Transistors NPN Silicon These are PbâFree Devices | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BC489RL1G 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO-92 NPN 80V 500mA | 当前型号 | 大电流晶体管NPN硅这是PBA ???? Free设备 High Current Transistors NPN Silicon These are PbâFree Devices | 当前型号 | |
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型号: BC487B 品牌: Micro Electronics 封装: | 功能相似 | Transistor, | BC489RL1G和BC487B的区别 |