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BC487B、BC489RL1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC487B BC489RL1G

描述 Transistor,大电流晶体管NPN硅这是PBA ???? Free设备 High Current Transistors NPN Silicon These are Pb−Free Devices

数据手册 --

制造商 Micro Electronics ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

封装 - TO-226-3

额定电压(DC) - 80.0 V

额定电流 - 500 mA

极性 - NPN

击穿电压(集电极-发射极) - 80 V

集电极最大允许电流 - 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) - 60 @100mA, 2V

额定功率(Max) - 625 mW

封装 - TO-226-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 - Tape

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free