BC489RL1G、BC639-16、BC639-10对比区别

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型号 BC489RL1G BC639-16 BC639-10

描述 大电流晶体管NPN硅这是PBA ???? Free设备 High Current Transistors NPN Silicon These are Pb−Free Devices0.8W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 80V Vceo, 1A Ic, 25 - hFE0.8W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 80V Vceo, 1A Ic, 25 - hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Continental Device Continental Device

分类 双极性晶体管

安装方式 Through Hole - -

封装 TO-226-3 TO-92 -

额定电压(DC) 80.0 V - -

额定电流 500 mA - -

极性 NPN - -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V - -

集电极最大允许电流 0.5A - -

最小电流放大倍数(hFE) 60 @100mA, 2V - -

额定功率(Max) 625 mW - -

封装 TO-226-3 TO-92 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tape - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -