电源电压DC 5.00 V
供电电流 50 mA
存取时间 200 ns
存取时间Max 200 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 4.5 V
安装方式 Through Hole
引脚数 28
封装 DIP-28
封装 DIP-28
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
BQ4010YMA-200引脚图
BQ4010YMA-200封装图
BQ4010YMA-200封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BQ4010YMA-200 | TI 德州仪器 | 为8K ×8非易失性SRAM ( 5 V , 3.3 V ) 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM 5 V, 3.3 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BQ4010YMA-200 品牌: TI 德州仪器 封装: DIP 5V 200ns | 当前型号 | 为8K ×8非易失性SRAM ( 5 V , 3.3 V ) 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM 5 V, 3.3 V | 当前型号 | |
型号: DS1225Y-200+ 品牌: 美信 封装: EDIP 2000B 28Pin | 类似代替 | Non-Volatile SRAM Module, 8KX8, 200ns, CMOS, 0.72INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-28 | BQ4010YMA-200和DS1225Y-200+的区别 | |
型号: BQ4010MA-200 品牌: 德州仪器 封装: 28-DIP 5V | 类似代替 | 为8K ×8非易失性SRAM ( 5 V , 3.3 V ) 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM 5 V, 3.3 V | BQ4010YMA-200和BQ4010MA-200的区别 | |
型号: DS1225AD-200+ 品牌: 美信 封装: DIP 8000B 5V 200ns 28Pin | 功能相似 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1225AD-200+ 芯片, 存储器, NVRAM | BQ4010YMA-200和DS1225AD-200+的区别 |