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BQ4010MA-200、BQ4010YMA-200、M48Z58-70PC1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BQ4010MA-200 BQ4010YMA-200 M48Z58-70PC1

描述 为8K ×8非易失性SRAM ( 5 V , 3.3 V ) 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)为8K ×8非易失性SRAM ( 5 V , 3.3 V ) 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)STMICROELECTRONICS  M48Z58-70PC1  芯片, SRAM, ZEROPOWER? 64K

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 28 28 28

封装 DIP-28 DIP-28 DIP-28

电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V 5.00 V, 5.50 V (max)

供电电流 50 mA 50 mA 50 mA

存取时间 200 ns 200 ns 70 ns

存取时间(Max) 200 ns 200 ns 70 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 4.75 V 4.5 V 4.75 V

电容 - - 10 pF

针脚数 - - 28

时钟频率 - - 1 MHz

内存容量 - - 8000 B

高度 9.53 mm - 8.89 mm

封装 DIP-28 DIP-28 DIP-28

长度 - - 39.88 mm

宽度 - - 18.34 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99