BQ4010YMA-200、DS1225Y-200+、DS1225AD-200IND+对比区别

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型号 BQ4010YMA-200 DS1225Y-200+ DS1225AD-200IND+

描述 为8K ×8非易失性SRAM （ 5 V ， 3.3 V ） 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)Non-Volatile SRAM Module, 8KX8, 200ns, CMOS, 0.72INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-28MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1225AD-200IND+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 28 28 28

封装 DIP-28 EDIP-28 EDIP-28

工作电压 - 4.5V ~ 5.5V -

存取时间 200 ns 200 ns 200 ns

内存容量 - 2000 B 8000 B

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V 4.5 V

电源电压(DC) 5.00 V - 5.00 V, 5.50 V (max)

供电电流 50 mA - -

存取时间(Max) 200 ns - -

针脚数 - - 28

时钟频率 - - 200 GHz

长度 - 39.12 mm -

宽度 - 18.29 mm 18.29 mm

高度 - 9.4 mm -

封装 DIP-28 EDIP-28 EDIP-28

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 Tube Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅 Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -