BQ4013YMA-70、BQ4013YMA-70N、DS1245AB-70+对比区别

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型号 BQ4013YMA-70 BQ4013YMA-70N DS1245AB-70+

描述 128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1245AB-70+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 32 32 32

封装 DIP-32 DIP-32 DIP-32

电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V 5.00 V, 5.25 V (max)

供电电流 50 mA 50 mA -

时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz 70.0 GHz

存取时间 70 ns 70 ns 70 ns

内存容量 125000 B 125000 B 125000 B

存取时间(Max) 70 ns 70 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V

电源电压(Max) - 5.5 V 5.25 V

电源电压(Min) - 4.5 V 4.75 V

针脚数 - - 32

长度 42.8 mm 42.8 mm -

宽度 18.42 mm 18.42 mm 18.8 mm

高度 9.4 mm 9.4 mm -

封装 DIP-32 DIP-32 DIP-32

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -