BD682G、TIP127G、BD682TG对比区别
描述 ON SEMICONDUCTOR BD682G 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 40 W, -4 A, 750 hFEPNP 复合晶体管，On Semiconductor这些 ON Semiconductor 复合晶体管是包含两个双极性晶体管（集成或分离设备）的复合结构。 这些设备连接，因此第二个晶体管进一步放大由第一个晶体管放大的电流。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管塑料中功率硅PNP达林顿 Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-225-3 TO-220-3 TO-126-3
额定电压(DC) -100 V -100 V -100 V
额定电流 4.00 A -5.00 A -4.00 A
输出电压 - 100 V -
输出电流 - 5 A -
极性 PNP, P-Channel PNP, P-Channel PNP, P-Channel
耗散功率 40 W 65 W 40000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V
热阻 - 62.5℃/W (RθJA) -
集电极最大允许电流 4A 5A 4A
最小电流放大倍数(hFE) 750 @1.5A, 3V 1000 @3A, 3V 750 @1.5A, 3V
额定功率(Max) 40 W 2 W 40 W
直流电流增益(hFE) 750 1000 -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 40000 mW 2000 mW 40000 mW
输入电压 - 2.5 V -
无卤素状态 Halogen Free - -
针脚数 3 - -
长度 7.74 mm 10.28 mm 7.74 mm
宽度 2.66 mm 4.82 mm 2.66 mm
高度 11.04 mm 9.28 mm 11.04 mm
封装 TO-225-3 TO-220-3 TO-126-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Bulk Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99