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BC639-16ZL1G、BC639_D27Z、BC63916_D27Z对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC639-16ZL1G BC639_D27Z BC63916_D27Z

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC639-16ZL1G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 100 hFETrans GP BJT NPN 80V 1A 3Pin TO-92 T/RFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC63916_D27Z  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 830 mW, 1 A, 25 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-92-3

频率 200 MHz - 100 MHz

额定电压(DC) 80.0 V - 80.0 V

额定电流 1.00 A - 1.00 A

额定功率 800 mW - 800 mW

针脚数 3 - 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 800 mW - 830 mW

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 1A 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 40

额定功率(Max) 625 mW 1 W 1 W

直流电流增益(hFE) 100 - 25

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW - 1000 mW

增益频宽积 - - 100 MHz

最大电流放大倍数(hFE) - - 160

封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-92-3

长度 - - 5.2 mm

宽度 - - 4.19 mm

高度 - - 5.33 mm

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Bulk - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99