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BC639_D27Z、BC63916_D27Z、BC639-16ZL1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC639_D27Z BC63916_D27Z BC639-16ZL1G

描述 Trans GP BJT NPN 80V 1A 3Pin TO-92 T/RFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC63916_D27Z  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 830 mW, 1 A, 25 hFEON SEMICONDUCTOR  BC639-16ZL1G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 100 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-92-3

引脚数 - 3 3

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 1A 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 100 @150mA, 2V

额定功率(Max) 1 W 1 W 625 mW

频率 - 100 MHz 200 MHz

额定电压(DC) - 80.0 V 80.0 V

额定电流 - 1.00 A 1.00 A

额定功率 - 800 mW 800 mW

针脚数 - 3 3

耗散功率 - 830 mW 800 mW

直流电流增益(hFE) - 25 100

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 1000 mW 625 mW

增益频宽积 - 100 MHz -

最大电流放大倍数(hFE) - 160 -

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-92-3

长度 - 5.2 mm -

宽度 - 4.19 mm -

高度 - 5.33 mm -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99