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BDX33CG、TIP41CG、NTE263对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BDX33CG TIP41CG NTE263

描述 ON SEMICONDUCTOR  BDX33CG  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 70 W, 10 A, 750 hFENPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管TO-220 NPN 100V 10A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NTE Electronics

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

频率 - 3 MHz -

额定电压(DC) 100 V 100 V -

额定电流 10.0 A 6.00 A -

针脚数 3 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 70 W 65 W 65 W

增益频宽积 - 3 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

热阻 - 1.67℃/W (RθJC) -

集电极最大允许电流 10A 6A 10A

最小电流放大倍数(hFE) 750 @3A, 3V 15 @3A, 4V -

额定功率(Max) 70 W 2 W -

直流电流增益(hFE) 750 3 20000

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 70000 mW 2000 mW 2000 mW

长度 10.28 mm 10.28 mm -

宽度 4.82 mm 4.83 mm -

高度 9.28 mm 15.75 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

材质 - Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2016/06/20 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

HTS代码 - - 85412900951