IRFR5305TRPBF
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
分立器件
IRFR5305TRPBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 89 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.065 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 110 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 31A
上升时间 66 ns
输入电容Ciss 1200pF @25VVds
额定功率Max 110 W
下降时间 63 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
IRFR5305TRPBF引脚图与封装图 
IRFR5305TRPBF引脚图
IRFR5305TRPBF封装图
IRFR5305TRPBF封装焊盘图
在线购买IRFR5305TRPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFR5305TRPBF | Infineon 英飞凌 | INFINEON IRFR5305TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 65 mohm, -10 V, -4 V | 搜索库存 |
替代型号IRFR5305TRPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFR5305TRPBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： REEL P-Channel 55V 31A | 当前型号 | INFINEON IRFR5305TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 65 mohm, -10 V, -4 V | 当前型号 |
| 型号： IRFR5305PBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL P-Channel 55V 31A | 完全替代 | INFINEON IRFR5305PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 31 A, -55 V, 65 mohm, -10 V, -4 V | IRFR5305TRPBF和IRFR5305PBF的区别 |
| 型号： IRFR5305TRLPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL P-CH 55V 31A | 类似代替 | INFINEON IRFR5305TRLPBF 场效应管, MOSFET, P沟道, -55V, 31A, D-PAK, 整卷 | IRFR5305TRPBF和IRFR5305TRLPBF的区别 |
| 型号： AUIRFR5305 品牌： 英飞凌 封装： REEL P-CH 55V 31A | 类似代替 | P 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | IRFR5305TRPBF和AUIRFR5305的区别 |