IRFR5305PBF、IRFR5305TRPBF对比区别
描述 INFINEON IRFR5305PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 31 A, -55 V, 65 mohm, -10 V, -4 VINFINEON IRFR5305TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 65 mohm, -10 V, -4 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) - -
额定电流 - -
通道数 - -
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.065 Ω 0.065 Ω
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 110 W 110 W
产品系列 - -
阈值电压 4 V 4 V
输入电容 - -
栅电荷 - -
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V
漏源击穿电压 - -
连续漏极电流(Ids) 31A 31A
上升时间 66 ns 66 ns
输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 110 W 110 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
额定功率 89 W 89 W
下降时间 63 ns 63 ns
耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc)
长度 6.73 mm 6.73 mm
高度 2.39 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3
宽度 6.22 mm 6.22 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon Silicon
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99