AUIRFR5305、IRFR5305TRPBF、AUIRFR5305TRL对比区别
型号 AUIRFR5305 IRFR5305TRPBF AUIRFR5305TRL
描述 P 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRFR5305TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 65 mohm, -10 V, -4 V晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 0.065 ohm, -10 V, -4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
通道数 1 - 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.065 Ω 0.065 Ω 0.065 Ω
极性 P-CH P-Channel P-Channel
耗散功率 110 W 110 W 110 W
阈值电压 - 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 31A 31A 31A
上升时间 66 ns 66 ns 66 ns
输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds)
下降时间 63 ns 63 ns 63 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc)
额定功率 110 W 89 W -
额定功率(Max) - 110 W -
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.5 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.39 mm 2.39 mm 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -