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MMDF1N05ER2G

MMDF1N05ER2G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  MMDF1N05ER2G  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2 A, 50 V, 0.3 ohm, 10 V, 3 V

N 通道功率 MOSFET,50V,


得捷:
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC


欧时:
### N 通道功率 MOSFET,50V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor


贸泽:
MOSFET NFET SO8D 50V 200mA 300mOhm


e络盟:
# ON SEMICONDUCTOR  MMDF1N05ER2G  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2 A, 50 V, 0.3 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Amplify electronic signals and switch between them with the help of ON Semiconductor&s;s MMDF1N05ER2G power MOSFET. Its maximum power dissipation is 2000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Allied Electronics:
MMDF1N05ER2G, NFET SO8 50V 2A 300MOHM


Verical:
Trans MOSFET N-CH 50V 2A 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMDF1N05ER2G  Dual MOSFET, Dual N Channel, 2 A, 50 V, 0.3 ohm, 10 V, 3 V


DeviceMart:
MOSFET N-CHAN DUAL 2A 50V 8SOIC


Win Source:
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC


MMDF1N05ER2G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 1.00 A

通道数 2

针脚数 8

漏源极电阻 0.3 Ω

极性 N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 50 V

漏源击穿电压 50.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 2.00 A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 330pF @25VVds

额定功率Max 2 W

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMDF1N05ER2G引脚图与封装图
MMDF1N05ER2G引脚图

MMDF1N05ER2G引脚图

MMDF1N05ER2G封装焊盘图

MMDF1N05ER2G封装焊盘图

在线购买MMDF1N05ER2G
型号 制造商 描述 购买
MMDF1N05ER2G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MMDF1N05ER2G  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2 A, 50 V, 0.3 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号MMDF1N05ER2G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMDF1N05ER2G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOIC N-Channel 50V 2A 300mohms

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MMDF1N05ER2G  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2 A, 50 V, 0.3 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号: MMDF1N05ER2

品牌: 安森美

封装: SOIC N-Channel 50V 2A 300mΩ

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型号: NDS9945

品牌: 安森美

封装: SO

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MMDF1N05ER2G和NDS9945的区别

型号: IRF7103PBF

品牌: 英飞凌

封装: SOIC Dual N-Channel 50V 3A

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INFINEON  IRF7103PBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3 A, 50 V, 130 mohm, 10 V, 3 V

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