MMDF1N05ER2、MMDF1N05ER2G、NDS9959对比区别

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型号 MMDF1N05ER2 MMDF1N05ER2G NDS9959

描述 功率MOSFET 1安培， 50伏特N通道SO- 8 ，双 Power MOSFET 1 Amp, 50 Volts N-Channel SO-8, DualON SEMICONDUCTOR  MMDF1N05ER2G  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2 A, 50 V, 0.3 ohm, 10 V, 3 V双N沟道增强型场效应晶体管 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 1.00 A 1.00 A 2.00 A

通道数 - 2 2

漏源极电阻 300 mΩ 0.3 Ω 300 mΩ

极性 N-Channel N-Channel, Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 2.00 W 2 W 2 W

漏源极电压(Vds) 50 V 50 V 50 V

漏源击穿电压 50.0 V 50.0 V 50 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 2.00 A 2.00 A 2.00 A

上升时间 - 30 ns 8 ns

输入电容(Ciss) 330pF @25V(Vds) 330pF @25V(Vds) 250pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W 900 mW

下降时间 - 25 ns 11 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

针脚数 - 8 -

阈值电压 - 3 V -

耗散功率(Max) - 2 W -

长度 - 5 mm 4.9 mm

宽度 - 4 mm 3.9 mm

高度 - 1.5 mm 1.75 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99