BF423G、BF823、BF423ZL1对比区别

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型号 BF423G BF823 BF423ZL1

描述 高电压晶体管 High Voltage TransistorsNXP  BF823  单晶体管 双极, PNP, -250 V, 60 MHz, 250 mW, -50 mA, 50 hFE 新双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 250V PNP

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-226-3 SOT-23 TO-92-3

针脚数 - 3 -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 - 250 mW 830 mW

直流电流增益(hFE) - 50 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

额定电压(DC) -250 V - -250 V

额定电流 -50.0 mA - -50.0 mA

击穿电压(集电极-发射极) 250 V - 250 V

集电极最大允许电流 0.5A - 0.05A

最小电流放大倍数(hFE) 50 @25mA, 20V - 50 @25mA, 20V

额定功率(Max) 830 mW - 830 mW

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 830 mW - -

封装 TO-226-3 SOT-23 TO-92-3

长度 - - 5.2 mm

宽度 - - 4.19 mm

高度 - - 5.33 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Box - Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

含铅标准 Lead Free - Contains Lead

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 EAR99 - -